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FQP3N50C PDF预览

FQP3N50C

更新时间： 2024-11-15 21:53:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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10页 1269K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQP3N50C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.22雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：62 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP3N50C 数据手册

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QFET®  
FQP3N50C/FQPF3N50C  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
3 A, 500 V, R  
= 2.5 Ω @ V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 10 nC )  
Low Crss ( typical 8.5 pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
ciency switched mode power supplies, active power factor cor-  
rection, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.  
100 % avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
●
◀
▲
●
●
G
{
TO-220  
TO-220F  
G D  
S
G
D S  
FQP Series  
FQPF Series  
{
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
DSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
FQP3N50C  
FQPF3N50C  
Units  
V
V
500  
I
Drain Current  
- Continuous (T = 25°C)  
C
A
D
3
3 *  
- Continuous (T = 100°C)  
A
A
C
1.8  
12  
1.8 *  
12 *  
(Note 1)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
DM  
V
E
Gate-Source Voltage  
30  
200  
3
V
mJ  
A
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
6.2  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
C
D
62  
25  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
W/°C  
0.5  
0.2  
T , T  
-55 to +150  
300  
°C  
°C  
J
STG  
T
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
L
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP3N50C  
FQPF3N50C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2.0  
4.9  
θJC  
θJS  
θJA  
R
R
0.5  
--  
62.5  
62.5  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQP3N50C/FQPF3N50C Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
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FQP3N50C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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