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FQP3N50C_NL

更新时间： 2024-02-07 10:24:02

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1267K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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FQP3N50C_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	2.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQP3N50C_NL 数据手册

QFET^®

FQP3N50C/FQPF3N50C

500V N-Channel MOSFET

Features

Description

•

3 A, 500 V, R

= 2.5 Ω @ V = 10 V

These N-Channel enhancement mode power field effect transis-

tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,

DMOS technology.

DS(on)

Low gate charge ( typical 10 nC )

Low Crss ( typical 8.5 pF)

Fast switching

This advanced technology has been especially tailored to mini-

mize on-state resistance, provide superior switching perfor-

mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and

commutation mode. These devices are well suited for high effi-

ciency switched mode power supplies, active power factor cor-

rection, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

100 % avalanche tested

Improved dv/dt capability

{

●

◀

▲

●

{

TO-220

FQP Series

TO-220F

G D

FQPF Series

{

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

FQP3N50C

FQPF3N50C

Units

500

Drain Current

- Continuous (T = 25°C)

3 *

- Continuous (T = 100°C)

1.8

1.8 *

12 *

(Note 1)

Drain Current

- Pulsed

Gate-Source Voltage

200

GSS

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

6.2

4.5

V/ns

dv/dt

Power Dissipation (T = 25°C)

- Derate above 25°C

Operating and Storage Temperature Range

W/°C

0.5

0.2

T , T

-55 to +150

300

°C

STG

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

* Drain current limited by maximum junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

FQP3N50C

FQPF3N50C

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

2.0

4.9

θJC

θJS

θJA

0.5

62.5

FQP3N50C/FQPF3N50C Rev. A

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7...10

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