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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.29 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB30N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQB30N06L | FAIRCHILD |
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60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQB30N06LTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，32 A，35mΩ，D2PA |
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| FQB32N12V2 | FAIRCHILD |
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120V N-Channel MOSFET |
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| FQB32N12V2TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB32N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQB32N20CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQB33N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQB33N10_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQB33N10_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
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