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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB19N10L
FQB19N10L PDF预览

FQB19N10L

更新时间： 2024-09-16 22:09:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 612K
描述
100V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQB19N10L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB19N10L 数据手册

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August 2000  
TM  
QFET  
FQB19N10L / FQI19N10L  
100V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as high efficiency  
switching DC/DC converters, and DC motor control.  
•
•
•
•
•
•
•
19A, 100V, R  
= 0.1Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 14 nC)  
Low Crss ( typical 35 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB19N10L / FQI19N10L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
100  
19  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
13.5  
76  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
220  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
19  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
75  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.5  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.0  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
40  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, August 2000  
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FQB19N10L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFW530A FAIRCHILD

功能相似

 Advanced Power MOSFET
PHB18NQ10T NXP

功能相似

 N-channel TrenchMOS transistor
FQB19N10 FAIRCHILD

功能相似

 100V N-Channel MOSFET

与FQB19N10L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB19N10LTM ROCHESTER

获取价格

 		19A, 100V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
FQB19N10TM FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FQB19N20 FAIRCHILD

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 		200V N-CHANNEL MOSFET
FQB19N20_13 FAIRCHILD

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FQB19N20C FAIRCHILD

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 		200V N-Channel MOSFET
FQB19N20CTM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQB19N20CTM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，D2PAK
FQB19N20L FAIRCHILD

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 		200V LOGIC N_Channel MOSFET
FQB19N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQB19N20LTM ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 21A, 140mΩ

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