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FQB1P50

更新时间： 2024-09-15 22:27:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 573K
描述
500V P-Channel MOSFET

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FQB1P50 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.44
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：10.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：63 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB1P50 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQB1P50 / FQI1P50  
500V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
-1.5A, -500V, R  
= 10.5Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 11 nC)  
Low Crss ( typical 6.0 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for electronic lamp ballasts based on the  
complementary half bridge topology.  
S
!
D
●
●
G!  
▶
▲
●
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB1P50 / FQI1P50  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-500  
-1.5  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
-0.95  
-6.0  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
110  
mJ  
A
-1.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
6.3  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-4.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
63  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.51  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.98  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

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与FQB1P50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB1P50TM FAIRCHILD

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 		P-Channel QFET MOSFET - 500 V, - 1.5 A, 10.5 Ohm
FQB1P50TM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-500 V，-1.5 A，10.5 Ω，D2P
FQB20N06 FAIRCHILD

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 		60V N-Channel MOSFET
FQB20N06L FAIRCHILD

获取价格

 		60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB20N06LTM FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FQB20N06TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQB22N30 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-263AB
FQB22P10 FAIRCHILD

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FQB22P10_13 FAIRCHILD

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 		P-Channel QFET MOSFET
FQB22P10TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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