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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | LEAD FREE, D2PAK-3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 433 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19 A | 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 139 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB19N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N_Channel MOSFET |
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| FQB19N20LTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB19N20LTM | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 21A, 140mΩ |
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| FQB19N20LTM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQB19N20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQB19N20TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19.4 A，150 mΩ，D2PA |
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| FQB1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQB1N60TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQB1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
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| FQB1P50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel QFET MOSFET - 500 V, - 1.5 A, 10.5 Ohm |
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