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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB19N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB19N20LTM | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 21A, 140mΩ |
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| FQB19N20LTM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQB19N20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FQB19N20TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19.4 A，150 mΩ，D2PA |
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| FQB1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQB1N60TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQB1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
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| FQB1P50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel QFET MOSFET - 500 V, - 1.5 A, 10.5 Ohm |
|
| FQB1P50TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-500 V，-1.5 A，10.5 Ω，D2P |
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