型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQB19N20LTM | ONSEMI |
功能相似 |
N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 21A, 140mΩ |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQB19N20TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQB19N20TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,19.4 A,150 mΩ,D2PA | |
FQB1N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQB1N60TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQB1P50 | FAIRCHILD |
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500V P-Channel MOSFET | |
FQB1P50TM | FAIRCHILD |
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P-Channel QFET MOSFET - 500 V, - 1.5 A, 10.5 Ohm | |
FQB1P50TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-500 V,-1.5 A,10.5 Ω,D2P | |
FQB20N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQB20N06L | FAIRCHILD |
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60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQB20N06LTM | FAIRCHILD |
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