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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 330 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB25N33TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V N-Channel MOSFET |
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| FQB25N33TM-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，330V，25A，230mΩ |
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| FQB26N03L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263AB |
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| FQB26N03LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| FQB27N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQB27N25TM | ROCHESTER |
获取价格 |
25.5A, 250V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3 |
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| FQB27N25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQB27N25TM-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET®，250V，25.5A，131mΩ |
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| FQB27N25TM-F085P | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET®，250V，25.5A，131mΩ |
|
| FQB27P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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