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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.33 | 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB19N10TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQB19N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-CHANNEL MOSFET |
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| FQB19N20_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
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| FQB19N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQB19N20CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB19N20CTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，D2PAK |
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| FQB19N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N_Channel MOSFET |
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| FQB19N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB19N20LTM | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 21A, 140mΩ |
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| FQB19N20LTM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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