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FJAF6910

更新时间： 2024-09-15 22:05:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 112K
描述
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

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FJAF6910 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：7JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FJAF6910 数据手册

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FJAF6910  
High Voltage Color Display Horizontal  
Deflection Output  
•
•
•
•
High Collector-Base Breakdown Voltage : BV  
= 1700V  
CBO  
Low Saturation Voltage : V (sat) = 3V (Max.)  
CE  
High Switching Speed : t (typ.) =0.15µs  
F
For Color Monitor  
TO-3PF  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Rating  
1700  
800  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
CBO  
CEO  
EBO  
V
6
V
I
I
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
10  
A
C
*
20  
A
CP  
P
60  
W
°C  
°C  
C
J
T
T
150  
-55 ~ 150  
STG  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle < 10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1
Units  
mA  
µA  
mA  
V
I
I
I
Collector Cut-off Current  
V
V
V
=1400V, R =0  
CES  
CB  
CB  
EB  
BE  
Collector Cut-off Current  
=800V, I =0  
10  
1
CBO  
EBO  
E
Emitter Cut-off Current  
=4V, I =0  
C
BV  
BV  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-EmitterBreakdownVoltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
I =500µA, I =0  
1700  
800  
6
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
I =5mA, I =0  
V
C
B
I =500µA, I =0  
V
E
C
h
h
V
V
=5V, I =1A  
10  
7
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=5V, I =6A  
10  
3
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Storage Time  
I =6A, I =1.5A  
V
V
CE  
C
B
I =6A, I =1.5A  
1.5  
4
BE  
C
B
t
*
V
=200V, I =6A, R =33Ω  
µs  
µs  
STG  
CC  
C
L
I
=1.2A, I = - 2.4A  
t *  
Fall Time  
B1  
B2  
0.3  
F
* Pulse Test: PW=20µs, duty Cycle=1% Pulsed  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
2.08  
Units  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
θjC  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, July 2001  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJAF6910TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FJAF6916 FAIRCHILD

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 		NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
FJAF6920 FAIRCHILD

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 		High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output
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 		Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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 		Transistor,
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