FJAF6920TU

更新时间： 2024-11-06 13:07:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		显示器高压
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5页	92K
描述
Transistor,

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FJAF6920TU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	20 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	5.5	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

FJAF6920TU 数据手册

FJAF6920

High Voltage Color Display Horizontal

Deflection Output

•

High Collector-Base Breakdown Voltage : BV

= 1700V

CBO

Low Saturation Voltage : V (sat) = 3V (Max.)

For Color Monitor

TO-3PF

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Rating

1700

800

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

CBO

CEO

EBO

°C

150

-55 ~ 150

STG

* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=2% Pulsed

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

µA

Collector Cut-off Current

=1400V, R =0

CES

Collector Cut-off Current

=800V, I =0

CBO

EBO

Emitter Cut-off Current

=4V, I =0

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-EmitterBreakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

I =500µA, I =0

1700

800

CBO

CEO

EBO

I =5mA, I =0

I =500µA, I =0

=5V, I =1A

5.5

FE1

FE2

=5V, I =11A

8.5

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Storage Time

I =11A, I =2.75A

1.5

=200V, I =10A, R =20Ω

µs

STG

=2.0A, I = - 4.0A

t *

Fall Time

0.15

0.2

* Pulse Test: PW=20µs, duty Cycle=1% Pulsed

Thermal Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Typ

Max

2.08

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

θjC

Rev. A, September2002

12 3 4 5

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