FJB102TM

更新时间： 2024-09-16 13:07:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	160K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FJB102TM 数据手册

FJB102

High Voltage Power Darlington Transistor

Features

•

High DC Current Gain : h_FE=1000 @ V_CE=4V, I_C=3A (Min.)

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

High Collector-Emitter Sustaining Voltage

Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors

Industrial Use

Equivalent Circuit

D2-PAK

1.Base 2.Collector 3.Emitter

R1 ≅ 10kΩ

R2 ≅ 0.6kΩ

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

100

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

100

Collector Current (DC)

* Collector Current (Pulse)

Base Current (DC)

I_CP

I_B

P_C

Collector Dissipation (T_C= 25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_J

150

T_STG

-65 ~ 150

* Pulse Test: PW = 300µs, Duty Cycle = 2% Pulsed

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

FJB102

Package

D2-PAK

Reel Size

13” Dia

Tape Width

Quantity

FJB102

800

FJB102 Rev. A

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

FJB102TM 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FJB102TM	ONSEMI	类似代替	100V高电压功率达林顿晶体管

与FJB102TM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FJB3307D	FAIRCHILD	获取价格	High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
FJB3307DH1TM	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FJB3307DH2TM	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FJB3307DTM	ONSEMI	获取价格	高电压快速开关 NPN 功率晶体管
FJB5555	FAIRCHILD	获取价格	NPN Silicon Transistor
FJB5555TM	ONSEMI	获取价格	NPN 硅晶体管
FJC1308	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJC1308_05	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJC1308P	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FJC1308PTF	ROCHESTER	获取价格	3000mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR