FJC1308

更新时间： 2024-02-10 19:05:41

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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FJC1308 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-89
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.32	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FJC1308 数据手册

FJC1308

Audio Power Amplifier Applications

•

Complement to FJC1963

High Collector Current

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

SOT-89

1. Base 2. Collector 3. Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

-30

Units

Collector-Base Voltage

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

-30

CEO

EBO

-6

-3

Power Dissipation(T =25°C)

0.5

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

-30

-6

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

I =-50µA, I =0

CBO

CEO

EBO

I =-1mA, I =0

I =-50µA, I =0

=-20V, V =0

-0.5

390

µA

CEO

EBO

Emitter Cut-off Current

=-5V, I =0

DC Current Gain

=-2V, I =-0.5A

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I =-1.5, I =-0.15A

-0.45

-1.5

I =-1.5, I =-0.15A

Classification

80 ~ 180

120 ~ 270

180 ~ 390

Marking

FBP

grade

Rev. A1, August 2002

12 3 4

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