FJC1386Q

更新时间： 2024-01-28 13:04:33

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-89

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FJC1386Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FJC1386Q 数据手册

FJC1386

Low Saturation Transistor

Medium Power Amplifier

•

Complement to FJC2098

High Collector Current

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

SOT-89

1. Base 2. Collector 3. Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

-30

Units

Collector-Base Voltage

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

-20

CEO

EBO

-6

-5

Power Dissipation(T =25°C)

0.5

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

-30

-20

-6

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

I =-50µA, I =0

CBO

CEO

EBO

I =-1mA, I =0

I =-50µA, I =0

=-20V, V =0

-0.5

390

-1.0

-1.5

µA

CBO

EBO

Emitter Cut-off Current

=-5V, I =0

DC Current Gain

=-2V, I =-0.5A

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I =-4, I =-0.1A

Thermal Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Max

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

250

θjA

Classification

80 ~ 180

120 ~ 270

180 ~ 390

Marking

FAP

grade

Rev. A1, August 2002

12 3 4

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