Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJC1963S

FJC1963S

更新时间： 2024-01-12 07:13:37

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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FJC1963S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	280
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FJC1963S 数据手册

FJC1963

Audio Power Amplifier Applications

•

Complement to FJC1308

High Collector Current

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

SOT-89

1. Base 2. Collector 3. Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

CEO

EBO

Power Dissipation(T =25°C)

0.5

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

I =50µA, I =0

CBO

CEO

EBO

I =1mA, I =0

I =50µA, I =0

=40V, V =0

0.5

µA

CEO

EBO

Emitter Cut-off Current

=5V, I =0

DC Current Gain

=2V, I =0.5A

120

560

0.45

1.2

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I =1.5, I =0.15A

Classification

120 ~ 270

180 ~ 390

280 ~ 560

Marking

FCQ

grade

Rev. A1, August 2002

12 3 4

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