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FJD3076O PDF预览

FJD3076O

更新时间： 2024-01-04 16:00:29
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DPAK-3

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FJD3076O 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FJD3076O 数据手册

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FJD3076  
Power Amplifier Applications  
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Complement to KSA 1241  
D-PACK  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
50  
5
V
I
I
2
A
C
Base Current  
1
A
B
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1
10  
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I
= 10mA, I = 0  
50  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= 50V, I = 0  
1
1
µA  
CB  
E
= 5V, I = 0  
µA  
EB  
C
h
h
V
V
= 2V, I = 0.5A  
70  
40  
240  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 1.5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
= 1A, I = 0.05A  
0.5  
1.2  
V
V
CE  
C
C
B
= 1A, I = 0.05A  
BE  
B
f
V
V
V
= 2V, I = 0.5A  
100  
30  
MHz  
pF  
µs  
T
CE  
CB  
C
C
= 10V, f = 1MHz  
ob  
t
t
t
Turn ON Time  
= 30V, I = 1A  
0.1  
1
ON  
CC  
B1  
C
1
= - I = 0.05A  
Storage Time  
B2  
µs  
STG  
F
R = 30Ω  
L
Fall Time  
0.1  
µs  
h
Classification  
FE1  
Classification  
O
Y
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE1  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, Octorber 2001  
123

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