Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJC1963S

FJC1963S

更新时间： 2024-02-26 09:57:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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FJC1963S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	280
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FJC1963S 数据手册

Typical Characteristics

1400

1200

1000

800

600

400

200

1000

100

I_B= 7mA

V_CE= 2V

I_B= 6mA

I_B= 5mA

Ta = 125^oC

Ta = 25^oC

I_B= 4mA

I_B= 3mA

I_B= 2mA

Ta = - 40^oC

I_B= 1mA

10m

100m

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. DC current Gain

I_C= 10I_B

Ta = 125^oC

100m

10m

Ta = - 40^oC

Ta = 25^oC

Ta = 125^oC

Ta = - 40^oC

100m

10m

100m

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage

Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

1.8

V_CE= 2V

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

125^oC

25^oC

- 40^oC

0.2

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

100

125

150

175

V_BE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

T_a[^oC], AMIBIENT TEMPERATURE

Figure 5. Base-Emitter On Voltage

Figure 6. Power Derating

Rev. A1, August 2002

123 4

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