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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJC790
FJC790 PDF预览

FJC790

更新时间： 2024-01-15 09:31:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管闪光灯
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
Camera Strobe Flash Application

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FJC790 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-89
包装说明：SOT-89, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.77
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FJC790 数据手册

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FJC790  
Camera Strobe Flash Application  
•
•
•
Complement to FJC690  
High Collector Current  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
SOT-89  
Marking: F79  
1
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Power Dissipation  
-40  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-2  
A
C
P
0.5  
W
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-50  
-40  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= -100µA, I = 0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= -10mA, I = 0  
V
B
= -100µA, I = 0  
V
C
I
I
V
V
= -35V, V = 0  
-0.1  
-0.1  
800  
µA  
µA  
CEO  
EBO  
CE  
EB  
B
Emitter Cut-off Current  
= -4V, I = 0  
C
h
DC Current Gain  
V
V
V
V
= -2V, I = -10mA  
300  
250  
200  
150  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= -2V, I = -500mA  
C
= -2V, I = -1mA  
C
= -2V, I = -2mA  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= -0.5A, I = -5mA  
-250  
-350  
-450  
mV  
mV  
mV  
CE  
C
C
C
B
= -1A, I = -10mA  
B
= -2A, I = -50mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
= -1A, I = -10mA  
-0.9  
-0.8  
V
V
BE  
C
B
V
V
= -2V, I = 1A  
C
BE  
CE  
C
Collector Output Capacitance  
= -10V, I = 0,  
20  
pF  
OB  
CB  
E
f = 1MHz  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, April 2004  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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