Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJC2098

FJC2098

更新时间： 2024-01-25 20:28:45

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	80K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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FJC2098 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

FJC2098 数据手册

FJC2098

Camera Strobe Flash Application

•

Complement to FJC1386

High Collector Current

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

SOT-89

1. Base 2. Collector 3. Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

CEO

EBO

Power Dissipation(T =25°C)

0.5

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

I =50µA, I =0

CBO

CEO

EBO

I =1mA, I =0

I =50µA, I =0

=40V, V =0

0.5

390

1.0

1.2

µA

CEO

EBO

Emitter Cut-off Current

=5V, I =0

DC Current Gain

=2V, I =0.5A

120

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Collector Output Capacitance

I =4A, I =0.1A

=20V, I =0, f=1MHz

Classification

120 ~ 270

180 ~ 390

Marking

JAQ

grade

Rev. A2, February 2003

12 3 4

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