5秒后页面跳转
FJC1386Q PDF预览

FJC1386Q

更新时间: 2024-02-25 06:15:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89

FJC1386Q 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.73Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FJC1386Q 数据手册

 浏览型号FJC1386Q的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FJC1386Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FJC1386Q的Datasheet PDF文件第4页 
Package Dimensions  
SOT-89  
1.50 ±0.20  
4.50 ±0.20  
1.65 ±0.10  
(0.40)  
C0.2  
0.50 ±0.10  
0.40 ±0.10  
+0.10  
–0.05  
0.40  
1.50 TYP 1.50 TYP  
Dimensions in Millimeters  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2002  

与FJC1386Q相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FJC1386QTF FAIRCHILD PNP Epitaxial Silicon Transistor

获取价格

FJC1386R FAIRCHILD TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89

获取价格

FJC1386RTF FAIRCHILD PNP Epitaxial Silicon Transistor

获取价格

FJC1386RTF_NL FAIRCHILD Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

获取价格

FJC1963 FAIRCHILD NPN Epitaxial Silicon Transistor

获取价格

FJC1963_05 FAIRCHILD NPN Epitaxial Silicon Transistor

获取价格