FJB3307D

更新时间： 2024-11-06 12:23:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压
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7页	164K
描述
High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor

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FJB3307D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.76	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FJB3307D 数据手册

March 2012

FJB3307D

High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor

Features

• Built-in Diode between Collector and Emitter

• Suitable for Electronic Ballast and Switch Mode Power Supplies

Internal Schematic Diagram

D²-PAK

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

700

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

* Collector Current (Pulse)

Base Current (DC)

400

I_CP

I_B

I_BP

* Base Current (Pulse)

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

150

°C

T_STG

-55 to 150

* Pulse Test: PW = 300μs, Duty Cycle = 2% Pulsed

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Total Device Dissipation

T_a= 25°C

T_c= 25°C

1.72

R_θja

R_θjc

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

72.5

1.56

°C/W

FJB3307D Rev. A1

www.fairchildsemi.com

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