FJB102

更新时间： 2024-11-08 22:31:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	160K
描述
High Voltage Power Darlington Transistor

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FJB102 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON

FJB102 数据手册

FJB102

High Voltage Power Darlington Transistor

Features

•

High DC Current Gain : h_FE=1000 @ V_CE=4V, I_C=3A (Min.)

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

High Collector-Emitter Sustaining Voltage

Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors

Industrial Use

Equivalent Circuit

D2-PAK

1.Base 2.Collector 3.Emitter

R1 ≅ 10kΩ

R2 ≅ 0.6kΩ

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

100

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

100

Collector Current (DC)

* Collector Current (Pulse)

Base Current (DC)

I_CP

I_B

P_C

Collector Dissipation (T_C= 25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_J

150

T_STG

-65 ~ 150

* Pulse Test: PW = 300µs, Duty Cycle = 2% Pulsed

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

FJB102

Package

D2-PAK

Reel Size

13” Dia

Tape Width

Quantity

FJB102

800

FJB102 Rev. A

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

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