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FDS8928AL86Z

更新时间： 2024-11-06 14:50:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	285K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS8928AL86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5.5 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS8928AL86Z 数据手册

July 1998

FDS8928A

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These dual N- and P -Channel enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as notebook computer power

management and other battery powered circuits where fast

switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

N-Channel 5.5 A,30 V, R_DS(ON)=0.030 W @ V_GS=4.5 V

R_DS(ON)=0.038 W @ V_GS=2.5 V.

P-Channel -4 A,-20 V, R_DS(ON)=0.055 W @ V_GS=-4.5 V

R_DS(ON)=0.072 W @ V_GS=-2.5 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.

SuperSOT^TM-6

SOT-23

SuperSOT^TM-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

pin 1

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

N-Channel

P-Channel

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-20

-8

V_DSS

V_GSS

I_D

(Note 1a)

5.5

-4

-20

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

1.6

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

0.9

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

R_q

FDS8928A Rev. B

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS8934	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8934A	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8934AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.065ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS8934AL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.065ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS8934AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.065ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS8935	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET -80 V, -2
FDS8935	ONSEMI	获取价格	双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-80V，-2.1A，183mΩ
FDS8936	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8936A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8936AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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