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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS8928A_NL
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FDS8928A_NL

更新时间： 2024-11-06 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 286K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS8928A_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.36配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS8928A_NL 数据手册

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July 1998  
FDS8928A  
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N- and P -Channel enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as notebook computer power  
management and other battery powered circuits where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
N-Channel 5.5 A,30 V, RDS(ON)=0.030 W @ VGS=4.5 V  
RDS(ON)=0.038 W @ VGS=2.5 V.  
P-Channel -4 A,-20 V, RDS(ON)=0.055 W @ VGS=-4.5 V  
RDS(ON)=0.072 W @ VGS=-2.5 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.  
SuperSOTTM-6  
SOT-23  
SuperSOTTM-8  
SO-8  
SOT-223  
SOIC-16  
D2  
4
5
6
7
8
D2  
D1  
3
2
1
D1  
G2  
S2  
G1  
pin 1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
N-Channel  
P-Channel  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
8
-20  
-8  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
(Note 1a)  
5.5  
20  
-4  
-20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
Rq  
JC  
FDS8928A Rev. B  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS8928AF011 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
FDS8928AL86Z FAIRCHILD

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FDS8935 ONSEMI

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FDS8936 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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