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FDS6990AS_NL

更新时间： 2024-11-17 22:20:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 542K
描述
Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDS6990AS_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6990AS_NL 数据手册

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March 2005  
FDS6990AS  
Dual 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™  
Features  
General Description  
■ 7.5 A, 30 V.  
R
R
= 22 mΩ @ V = 10 V  
The FDS6990AS is designed to replace a dual SO-8 MOSFET  
and two Schottky diodes in synchronous DC:DC power sup-  
plies. This 30V MOSFET is designed to maximize power con-  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
= 28 mΩ @ V = 4.5 V  
GS  
■ Includes SyncFET Schottky diode  
version efficiency, providing a low R  
and low gate charge.  
DS(ON)  
■ Low gate charge (10nC typical)  
Each MOSFET includes integrated Schottky diodes using Fair-  
child’s monolithic SyncFET technology. The performance of the  
FDS6990AS as the low-side switch in a synchronous rectifier is  
similar to the performance of the FDS6990A in parallel with a  
Schottky diode.  
■ High performance trench technology for extremely low  
R
DS(ON)  
■ High power and current handling capability  
Applications  
■ DC/DC converter  
■ Motor drives  
D1  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
Q1  
Q2  
D2  
D2  
G1  
S1  
SO-8  
G2  
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
V
V
A
DSS  
V
20  
GSS  
I
Drain Current  
– Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
7.5  
D
20  
P
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
D
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
θJA  
θJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDS6990AS  
Device  
FDS6990AS  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2500 units  
2500 units  
13"  
13"  
12mm  
12mm  
FDS6990AS  
FDS6990AS_NL (Note 4)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6990AS Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDS6990AS_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6990A ONSEMI

功能相似

 双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，7.5A，18mΩ

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