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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS7064SN3
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FDS7064SN3

更新时间： 2024-11-17 22:16:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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7页 196K
描述
30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDS7064SN3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS7064SN3 数据手册

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February 2004  
FDS7064SN3  
30V N-Channel PowerTrench SyncFET™  
General Description  
• Features  
• 16 A, 30 V  
RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
The FDS7064SN3 is designed to improve the efficiency  
of Buck Regulators. Used as the Synchronous rectifier,  
(Low side MOSFET), losses can be reduced, not only in  
this device, but also in the Control switch, (High side  
MOSFET). After the low side MOSFET turns off,  
reverse recovery current in the body diode is dissipated  
in the High Side device. A Discrete Schottky diode in  
parallel with the Low Side MOSFET can lower the  
reverse recovery current, but parasitic PCB and  
Package Inductance reduce the effectiveness of the  
Schottky. SyncFETTM technology reduces this  
inductance to a minimum by providing a monolithic  
solution (MOSFET and Schottky in the same die),  
resulting in optimum performance.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• No inductance between MOSFET and Schottky  
• 40% reduction in Body Diode Forward Voltage  
• Optimized to reduce losses in Synchronous Buck  
Regulators  
• FLMP SO-8 package for enhanced thermal  
Applications  
performance.  
•
Synchronous Rectifier  
Bottom-side  
D
Drain Contact  
NC  
5
6
7
8
4
3
2
NC  
NC  
NC  
G
FLMP SO-8  
S
S
S
1
S
Pin 1  
SO-  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
±16  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
16  
60  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.13  
1.5  
PD  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
40  
0.5  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS7064SN3  
FDS7064SN3  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS7064SN3 Rev C1 (W)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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