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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS7066ASN3
FDS7066ASN3 PDF预览

FDS7066ASN3

更新时间： 2024-11-17 22:05:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 135K
描述
30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDS7066ASN3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS7066ASN3 数据手册

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August 2004  
FDS7066ASN3  
30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS7066ASN3 is designed to replace a single SO-  
8 FLMP MOSFET and Schottky diode in synchronous  
DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed  
to maximize power conversion efficiency, providing a  
low RDS(ON) and low gate charge. The FDS7066ASN3  
includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
• 19 A, 30 V  
RDS(ON) = 4.8 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 6.0 mΩ @ VGS = 4.5 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
the FDS7066ASN3 as the low-side switch in  
synchronous rectifier is close to the performance of the  
FDS7066N3 in parallel with a Schottky diode.  
a
• High power and current handling capability  
• Fast switching  
Applications  
• FLMP SO-8 package: Enhanced thermal  
performance in industry-standard package size  
• DC/DC converter  
Bottom-side  
Drain Contact  
5
6
7
8
4
3
2
1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
19  
60  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.0  
PD  
W
1.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.5  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2500 units  
FDS7066ASN3  
FDS7066ASN3  
13’’  
12mm  
FDS7066ASN3 Rev A (W)  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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