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FDS6990AS62Z

更新时间： 2024-11-18 15:32:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 197K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6990AS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6990AS62Z 数据手册

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June 1999  
FDS6990A  
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's  
advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
7.5 A, 30 V. RDS(ON)  
=
0 .0 1 8 W @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.023 W @ VGS = 4.5 V.  
Fast switching speed.  
Low gate charge (typical 18nC).  
High performance trench technology for  
extremely low RDS(ON)  
.
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line  
power loss and fast switching are required.  
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SO-8  
SOT-223  
SOIC-16  
SOT-23  
D2  
5
6
7
8
4
D2  
D1  
3
2
D1  
G2  
S2  
1
G1  
1
pin  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VDSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
A
VGSS  
ID  
Drain Current - Continuous  
(Note 1a)  
7.5  
20  
2
-
Pulsed  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
W
PD  
1.6  
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
RqJC  
(Note 1)  
©1999 Fairchild Semiconductor  
FDS6990A Rev.C1  
12345678

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与FDS6990AS62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6990S FAIRCHILD

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 		Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6990S_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6990SD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6990SL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6990SL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6992S FAIRCHILD

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 		Transistor
FDS6993 FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6993_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDS6994S FAIRCHILD

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 		Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6994S_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me

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