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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6990S
FDS6990S PDF预览

FDS6990S

更新时间： 2024-09-15 22:20:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 88K
描述
Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDS6990S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.27配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6990S 数据手册

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May 2001  
FDS6990S  
Dual 30V N-Channel PowerTrenchÒ SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS6990S is designed to replace a dual SO-8  
MOSFET and two Schottky diodes in synchronous  
DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed  
to maximize power conversion efficiency, providing a  
low RDS(ON) and low gate charge. Each MOSFET  
includes integrated Schottky diodes using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
the FDS6990S as the low-side switch in a synchronous  
rectifier is similar to the performance of the FDS6990A  
in parallel with a Schottky diode.  
·
7.5A, 30 V.  
RDS(ON) = 22 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 30 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
·
Includes SyncFET Schottky diode  
Low gate charge (11 nC typical)  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
Applications  
·
High power and current handling capability  
·
·
DC/DC converter  
Motor drives  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
Q1  
Q2  
D2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
O-
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
7.5  
20  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
0.9  
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6990S  
FDS6990S  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6990S Rev B(W)  
Ó 2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6990S_NL FAIRCHILD

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