5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDS6990A_NB23071
FDS6990A_NB23071 PDF预览

FDS6990A_NB23071

更新时间： 2024-11-12 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 119K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDS6990A_NB23071 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

FDS6990A_NB23071 数据手册

 浏览型号FDS6990A_NB23071的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6990A_NB23071的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6990A_NB23071的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6990A_NB23071的Datasheet PDF文件第5页 
June 2003  
FDS6990A  
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced  
·
7.5 A, 30 V.  
RDS(ON) = 18 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 23 mW @ VGS = 4.5 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
·
·
Fast switching speed  
Low gate charge  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
·
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
7.5  
20  
PD  
W
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1.0  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6990A  
FDS6990A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6990A Rev D(W)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

中文翻译

下载PDF

与FDS6990A_NB23071相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6990A_NBNP005A FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6990A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDS6990AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6990AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6990A-NBBM020 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6990AS FAIRCHILD

获取价格

 		Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6990AS ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，7.5A，22mΩ
FDS6990AS_08 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6990AS_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6990AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与FDS6990A_NB23071相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证