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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6990A
FDS6990A PDF预览

FDS6990A

更新时间： 2024-11-17 22:20:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 120K
描述
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

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FDS6990A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.87
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6990A 数据手册

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June 2003  
FDS6990A  
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced  
·
7.5 A, 30 V.  
RDS(ON) = 18 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 23 mW @ VGS = 4.5 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
·
·
Fast switching speed  
Low gate charge  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
·
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
7.5  
20  
PD  
W
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1.0  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6990A  
FDS6990A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6990A Rev D(W)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDS6990A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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