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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.28 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1015489 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SOIC8+- | Samacsys Released Date： | 2020-05-18 13:36:21 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS4435BZ | ONSEMI |
功能相似  |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ |
|
| TPS1100DR | TI |
功能相似 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SO |
|
| TPS1100D | TI |
功能相似 |
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6679_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30 Volt P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDS6679AZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -13A, 9mOhm |
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| FDS6679AZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-13A，9mΩ |
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| FDS6679AZ | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| FDS6679AZ_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDS6679D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| FDS6679F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6679L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6679Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6679Z_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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