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FDS6679ZL86Z

更新时间： 2024-09-23 14:42:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 242K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6679ZL86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.31配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6679ZL86Z 数据手册

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October 2001  
FDS6679Z  
30 Volt P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers, and battery chargers.  
· –13 A, –30 V. RDS(ON) = 9 mW @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 13 mW @ VGS = – 4.5 V  
· Extended VGSS range (–25V) for battery applications  
· ESD protection diode (note 3)  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
· High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
· High power and current handling capability  
D
D
5
6
4
3
D
D
7
8
2
G
S
S
1
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
–25/+20  
–13  
V
A
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
(Note 1c)  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6679Z  
FDS6679Z  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6679Z Rev C (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS6679ZL86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6680 FAIRCHILD

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 		Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET
FDS6680_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6680A ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，9.5
FDS6680A FAIRCHILD

获取价格

 		Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDS6680A UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDS6680A_12 FAIRCHILD

获取价格

 		Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench®
FDS6680A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDS6680AF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6680A-NBBI005A ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，9.5
FDS6680AS FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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