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FDP100N10

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
8页	454K
描述
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

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FDP100N10 数据手册

Typical Performance Characteristics

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

1000

500

V_GS= 15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

100

150^oC

-55^oC

25^oC

*Notes:

1. 250µs Pulse Test

2. T_C= 25^oC

*Notes:

1. V_DS= 20V

2. 250µs Pulse Test

0.1

V_GS,Gate-Source Voltage[V]

V_DS,Drain-Source Voltage[V]

Figure 3. On-Resistance Variation vs.

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation vs. Source Current

and Temperature

Drain Current and Gate Voltage

1000

0.020

0.015

0.010

0.005

0.000

100

150^oC

V_GS= 10V

V_GS= 20V

25^oC

*Notes:

1. V_GS= 0V

*Note: T_J= 25^oC

2. 250µs Pulse Test

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

100 150 200 250 300 350

I_D, Drain Current [A]

V_SD, Body Diode Forward Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

8000

= C + C (C = shorted)

gs gd ds

iss

V_DS= 80V

V_DS= 50V

= C + C

ds gd

oss

rss

= C

_DS= 25V

6000

4000

2000

C_iss

*Note:

1. V_GS= 0V

2. f = 1MHz

C_oss

C_rss

*Note: I_D= 75A

60 75

0.1

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Q_g, Total Gate Charge [nC]

www.fairchildsemi.com

FDP100N10 Rev. A1

1 234 5 6 7 8

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FDP100N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SUP85N10-10-E3	VISHAY	功能相似	Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFB4710PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET㈢ Power MOSFET

与FDP100N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP100N10_12	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 100V, 75A, 10m
FDP10AN06A0	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mз
FDP10G	ADAM-TECH	获取价格	IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP10G30	ADAM-TECH	获取价格	DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato
FDP10GGY	ADAM-TECH	获取价格	DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDP10N50F	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85Ω
FDP10N50U	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDP10N60NZ	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 10 A, 750
FDP10N60NZ	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET，N 沟道，UniFETTMII，600V，10A，750mΩ，T
FDP10N60ZU	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω