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FDP100N10

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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8页	454K
描述
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

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FDP100N10 数据手册

Package Marking and Ordering Information T_C= 25^oC unless otherwise noted

Device Marking

Device

Package

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDP100N10

TO-220

Electrical Characteristics

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

Off Characteristics

BV_DSS

Drain to Source Breakdown Voltage

I_D= 250µA, V_GS= 0V, T_J= 25^oC

100

∆BV_DSS

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

_D= 250µA, Referenced to 25^oC

0.1

V/^oC

∆T_J

_DS= 100V, V_GS= 0V

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate to Body Leakage Current

µA

V_DS= 100V, V_GS= 0V, T_J= 150^oC

500

±100

I_GSS

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

On Characteristics

V_GS(th)

R_DS(on)

g_FS

Gate Threshold Voltage

V_GS= V_DS, I_D= 250µA

2.5

4.5

mΩ

Static Drain to Source On Resistance

Forward Transconductance

V_GS= 10V, I_D= 75A

8.2

110

V_DS= 10V, I_D= 37.5A

(Note 4)

Dynamic Characteristics

C_iss

Input Capacitance

5500

530

220

7300

710

325

100

V_DS= 25V, V_GS= 0V

f = 1MHz

C_oss

C_rss

Q_g(tot)

Q_gs

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Total Gate Charge at 10V

Gate to Source Gate Charge

Gate to Drain “Miller” Charge

_DS= 50V, I_D= 75A

_GS= 10V

Q_gd

(Note 4, 5)

Switching Characteristics

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn-On Delay Time

Turn-On Rise Time

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

150

540

260

240

V_DD= 50V, I_D= 75A

_GS= 10V, R_GEN= 25Ω

265

125

115

(Note 4, 5)

Drain-Source Diode Characteristics

I_S

Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current

Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current

300

1.25

I_SM

V_SD

t_rr

Drain to Source Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

V_GS= 0V, I_SD= 75A

164

V_GS= 0V, I_SD= 75A

dI_F/dt = 100A/µs

(Note 4)

Q_rr

Reverse Recovery Charge

Notes:

1: Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

2: L = 0.13mH, I = 75A, V = 25V, R = 25Ω, Starting T = 25 C

≤ 75A, di/dt ≤ 200A/µs, V ≤ BV

, Starting T = 25 C

DSS J

4: Pulse Test: Pulse width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%

5: Essentially Independent of Operating Temperature Typical Characteristics

www.fairchildsemi.com

FDP100N10 Rev. A1

123 4 5 6 7 8

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FDP100N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SUP85N10-10-E3	VISHAY	功能相似	Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFB4710PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET㈢ Power MOSFET

与FDP100N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP100N10_12	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 100V, 75A, 10m
FDP10AN06A0	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mз
FDP10G	ADAM-TECH	获取价格	IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP10G30	ADAM-TECH	获取价格	DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato
FDP10GGY	ADAM-TECH	获取价格	DIP Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDP10N50F	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85Ω
FDP10N50U	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDP10N60NZ	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 10 A, 750
FDP10N60NZ	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET，N 沟道，UniFETTMII，600V，10A，750mΩ，T
FDP10N60ZU	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω

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