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FDMC7200S PDF预览

FDMC7200S

更新时间： 2024-11-18 11:13:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 378K
描述
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，22mΩ，10mΩ

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FDMC7200S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：23 weeks风险等级：0.96
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：30 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC7200S 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
D1  
D1  
D1  
G1  
Pin 1  
D1  
D2/S1  
V
IN  
30 V, 22 mW and 10 mW  
V
IN  
S2  
V
IN  
S2  
S2  
G
HS  
V
G2  
IN  
FDMC7200S  
SWITCH  
NODE  
Bottom  
General Description  
GND  
GND  
GND  
This device includes two specialized N−Channel MOSFETs in a  
dual Power 33 (3 mm x 3 mm MLP) package. The switch node has  
been internally connected to enable easy placement and routing of  
synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and  
synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal  
power efficiency.  
G
LS  
Bottom  
WDFN8 3x3, 0.65P  
(Power 33)  
CASE 511DE  
MARKING DIAGRAM  
Features  
• Q1: N−Channel  
♦ Max R  
♦ Max R  
= 22 mꢀ at V = 10 V, I = 6 A  
GS D  
DS(on)  
ZXYKK  
FDMC  
7200S  
= 34 mꢀ at V = 4.5 V, I = 5 A  
DS(on)  
GS  
D
• Q2: N−Channel  
♦ Max R  
♦ Max R  
= 10 mꢀ at V = 10 V, I = 8.5 A  
GS D  
DS(on)  
= 13.5 mꢀ at V = 4.5 V, I = 7.2 A  
DS(on)  
GS  
D
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
Z
XY  
KK  
= Assembly Plant Code  
= Date Code  
= Lot Run Traceability Code  
Applications  
• Mobile Computing  
• Mobile Internet Devices  
• General Purpose Point of Load  
FDMC7200S = Device Code  
PIN ASSIGNMENT  
Q2  
5
4
3
2
1
6
7
8
Q1  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
FDMC7200S  
Package  
Shipping  
3000 /  
Tape & Reel  
WDFN8  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
March, 2023 − Rev. 3  
FDMC7200S/D  
1234567...13

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与FDMC7200S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC7208S ONSEMI

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 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V
FDMC7208S_12 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V,
FDMC7570S FAIRCHILD

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FDMC7570S ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，20A，2.2mΩ
FDMC7660_12 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 20 A, 2.

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