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Datasheet > 存储 > SRAM> CY62256VNLL-70ZRXE
CY62256VNLL-70ZRXE PDF预览

CY62256VNLL-70ZRXE

更新时间： 2024-11-25 03:07:51
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 645K
描述
256K (32K x 8) Static RAM

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CY62256VNLL-70ZRXE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.83
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e4长度：11.8 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1-R封装等效代码：TSSOP28,.53,22
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
反向引出线：YES座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00005 A最小待机电流：1.4 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：8 mm
Base Number Matches：1

CY62256VNLL-70ZRXE 数据手册

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CY62256VN  
256K (32K x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• Temperature Ranges  
The CY62256VN family is composed of two high-performance  
CMOS static RAM’s organized as 32K words by 8 bits. Easy  
memory expansion is provided by an active LOW chip enable  
(CE) and active LOW output enable (OE) and tri-state drivers.  
These devices have an automatic power-down feature,  
reducing the power consumption by over 99% when  
deselected.  
— Commercial: 0°C to 70°C  
— Industrial: –40°C to 85°C  
— Automotive-A: –40°C to 85°C  
— Automotive-E: –40°C to 125°C  
• Speed: 70 ns  
An active LOW write enable signal (WE) controls the  
writing/reading operation of the memory. When CE and WE  
inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins  
(I/O0 through I/O7) is written into the memory location  
addressed by the address present on the address pins (A0  
through A14). Reading the device is accomplished by selecting  
the device and enabling the outputs, CE and OE active LOW,  
while WE remains inactive or HIGH. Under these conditions,  
the contents of the location addressed by the information on  
address pins are present on the eight data input/output pins.  
• Low voltage range: 2.7V–3.6V  
• Low active power and standby power  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
• Available in standard Pb-free and non Pb-free 28-lead  
(300-mil) narrow SOIC, 28-lead TSOP-I and 28-lead  
Reverse TSOP-I packages  
The input/output pins remain in a high-impedance state unless  
the chip is selected, outputs are enabled, and write enable  
(WE) is HIGH.  
Logic Block Diagram  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
3
4
5
6
INPUTBUFFER  
A
A
A
10  
9
8
A
7
6
5
A
32K x 8  
ARRAY  
A
A
A
A
4
3
2
CE  
WE  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
7
OE  
Note:  
1. For best practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06512 Rev. *A  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 3, 2006  
[+] Feedback  
1234567...12

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CY62256VNLL-70ZRXE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62256VLL-70ZRXIT CYPRESS

类似代替

 Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28
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 256K (32K x 8) Static RAM

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