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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.81 |
| 最长访问时间： | 55 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.794 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 8.69 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY6264-55SNC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
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| CY6264-55SNCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 |
|
| CY6264-55SNXC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
|
| CY6264-55SNXI | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
|
| CY6264-55SNXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOIC-28 |
|
| CY6264-70SC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
|
| CY6264-70SCR | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| CY6264-70SNC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
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| CY6264-70SNCT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| CY6264-70SNI | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
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