是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP28,.45 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.74 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 17.9324 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP28,.45 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.794 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.26 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 7.5057 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY6264-55SNXI | CYPRESS |
完全替代 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264-55SNXC | CYPRESS |
类似代替 |
8K x 8 Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY6264-70SC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264-70SCR | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
CY6264-70SNC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264-70SNCT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
CY6264-70SNI | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264-70SNIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SNC-28 | |
CY6264-70SNXA | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264-70SNXC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264-70SNXI | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY64146V | CYPRESS |
获取价格 |
4M (256K x 16) Static RAM |