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CY62256VNLL-70ZXET

更新时间： 2024-11-25 13:00:55
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
13页 410K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28

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CY62256VNLL-70ZXET 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e4
长度：11.8 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00005 A最小待机电流：1.4 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：8 mm
Base Number Matches：1

CY62256VNLL-70ZXET 数据手册

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CY62256VN  
256K (32K x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description  
■
Temperature Ranges  
The CY62256VN[1] family is composed of two high performance  
CMOS static RAM’s organized as 32K words by 8 bits. Easy  
memory expansion is provided by an active LOW chip enable  
(CE) and active LOW output enable (OE) and tristate drivers.  
These devices have an automatic power down feature, reducing  
the power consumption by over 99% when deselected.  
❐
❐
❐
❐
Commercial: 0°C to 70°C  
Industrial: –40°C to 85°C  
Automotive-A: –40°C to 85°C  
Automotive-E: –40°C to 125°C  
■
■
■
■
■
■
■
■
Speed: 70 ns  
An active LOW write enable signal (WE) controls the  
writing/reading operation of the memory. When CE and WE  
inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins  
(I/O0 through I/O7) is written into the memory location addressed  
by the address present on the address pins (A0 through A14).  
Reading the device is accomplished by selecting the device and  
enabling the outputs, CE and OE active LOW, while WE remains  
inactive or HIGH. Under these conditions, the contents of the  
location addressed by the information on address pins are  
present on the eight data input/output pins.  
Low Voltage Range: 2.7V to 3.6V  
Low Active Power and Standby Power  
Easy Memory Expansion with CE and OE Features  
TTL Compatible Inputs and Outputs  
Automatic Power Down when Deselected  
CMOS for Optimum Speed and Power  
The input/output pins remain in a high impedance state unless  
the chip is selected, outputs are enabled, and write enable (WE)  
is HIGH.  
Available in Standard Pb-free and non Pb-free 28-Pin (300-mil)  
Narrow SOIC, 28-Pin TSOP-I, and 28-Pin Reverse TSOP-I  
Packages  
Logic Block Diagram  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
3
4
5
6
INPUTBUFFER  
A
A
A
10  
9
8
A
7
6
5
A
32K x 8  
ARRAY  
A
A
A
A
4
3
2
CE  
WE  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
7
OE  
.
Note  
1. For best practice recommendations, refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06512 Rev. *B  
•
198 Champion Court  
•
San Jose  
,
CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised September 25, 2009  
[+] Feedback  
1234567...13

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CY62256VNLL-70ZXET 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M68AW031AM70N6T STMICROELECTRONICS

功能相似

 32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28

与CY62256VNLL-70ZXET相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62256VNLL-70ZXI CYPRESS

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 		256K (32K x 8) Static RAM
CY62512VL-55ZC CYPRESS

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 		Standard SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO32
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