是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 7.79 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.000006 A |
最小待机电流: | 1.4 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY62256VNLL-70ZXA | CYPRESS |
完全替代 |
256K (32K x 8) Static RAM | |
CY62256VNLL-70ZXC | CYPRESS |
类似代替 |
256K (32K x 8) Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY62512VL-55ZC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
CY62512VLL-55ZI | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
CY62512VLL-70ZC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | |
CY62512VLL-70ZI | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
CY6264 | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264_06 | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264_09 | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264-55SC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY6264-55SCR | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
CY6264-55SNC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |