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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD17313Q2T
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CSD17313Q2T

更新时间： 2024-11-14 11:07:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关脉冲光电二极管晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 318K
描述
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQK | 6 | -55 to 150

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CSD17313Q2T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：0.85Samacsys Description：30V, N ch NexFET MOSFET?, single SON2x2, 32mOhm
雪崩能效等级（Eas）：18 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.042 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：17 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：57 A表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

CSD17313Q2T 数据手册

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CSD17313Q2  
www.ti.com  
SLPS260A –MARCH 2010–REVISED MARCH 2010  
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
Drain to Source Voltage  
1
FEATURES  
VDS  
Qg  
30  
2.1  
0.4  
V
•
•
•
•
•
•
•
Optimized for 5V Gate Drive  
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Pb Free  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
VGS = 3V  
31  
26  
24  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS = 4.5V  
VGS = 8V  
RoHS Compliant  
VGS(th)  
Threshold Voltage  
1.3  
Halogen Free  
SON 2-mm × 2-mm Plastic Package  
Text Added For Spacing  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
•
•
Device  
CSD17313Q2  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
DC-DC Converters  
Battery and Load Management Applications  
SON 2-mm × 2-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
3000  
DESCRIPTION  
Text Added For Spacing  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
The NexFET power MOSFET has been designed to  
minimize losses in power conversion applications and  
optimized for 5V gate drive applications. The 2-mm ×  
2-mm SON offers excellent thermal performance for  
the size of the package.  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
30  
Gate to Source Voltage  
+10 / –8  
V
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation  
5
5
A
ID  
A
Top View  
IDM  
PD  
20  
2.3  
A
W
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
TJ,  
TSTG  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
–55 to 150  
18  
°C  
D
Avalanche Energy, Single Pulse,  
ID = 19A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Package Limited  
(2) Pulse duration ≤300ms, duty cycle ≤2%  
S
P0108-01  
Text For Spacing  
RDS(on) vs VGS  
Text For Spacing  
GATE CHARGE  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
8
ID = 4A  
ID = 4A  
VDS = 15V  
7
6
5
4
3
2
1
0
TC = 125°C  
TC = 25°C  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
VGS - Gate-to-Source Voltage - V  
Qg - Gate Charge - nC  
G006  
G003  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2010, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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CSD17313Q2T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17313Q2 TI

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