是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LGA |
包装说明: | GRID ARRAY, R-XBGA-N3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 1.66 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 2.9 pF | JESD-30 代码: | R-XBGA-N3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD17484F4 | TI |
类似代替 |
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD17501Q5A | TI |
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30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD17505Q5A | TI |
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30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs | |
CSD17506Q5A | TI |
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30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs | |
CSD17507Q5A | TI |
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30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD17507Q5A_10 | TI |
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30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD17507Q5A_11 | TI |
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30V, N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD17507Q5AT | TI |
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CSD17507Q5A 30-V N-Channel NexFET⢠Power MO | |
CSD17510Q5A | TI |
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30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD17510Q5A_10 | TI |
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30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD17522Q5A | TI |
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30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs |