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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD17506Q5A
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CSD17506Q5A

更新时间： 2024-09-25 09:33:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 201K
描述
30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs

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CSD17506Q5A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.7Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：259 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.0053 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：65 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD17506Q5A 数据手册

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CSD17506Q5A  
www.ti.com  
SLPS304 –DECEMBER 2010  
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD17506Q5A  
PRODUCT SUMMARY  
1
FEATURES  
TA = 25°C unless otherwise stated  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultralow Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
30  
8.3  
2.3  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
4.2  
3.2  
RDS(on)  
VGS(th)  
Drain to Source On Resistance  
Threshold Voltage  
1.3  
Halogen Free  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
Text Added For Spacing  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
•
Device  
CSD17506Q5A  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
Point-of-Load Synchronous Buck in  
Networking, Telecom, and Computing Systems  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
2500  
•
Synchronous or Control FET Applications  
Text Added For Spacing  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
DESCRIPTION  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
30  
V
Gate to Source Voltage  
+20 / –12  
100  
V
A
Top View  
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
ID  
23  
A
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM  
PD  
TJ,  
150  
A
3.2  
W
Operating Junction and Storage Temperature  
TSTG Range  
–55 to 150  
259  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 72A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RqJA = 39°C/W on a 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-  
mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
D
D
P0093-01  
(2) Pulse duration ≤300ms, duty cycle ≤2%  
TEXT ADDED FOR SPACING  
TEXT ADDED FOR SPACING  
RDS(on) vs VGS  
TEXT ADDED FOR SPACING  
TEXT ADDED FOR SPACING  
GATE CHARGE  
16  
14  
12  
10  
8
10  
ID = 20A  
ID = 20A  
VDD = 15V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
4
TC = 25°C  
TC = 125ºC  
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
Qg - Gate Charge - nC (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage - V  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2010, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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