是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LGA |
包装说明: | GRID ARRAY, R-XBGA-N3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 1.65 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 2.9 pF |
JESD-30 代码: | R-XBGA-N3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD13383F4 | TI |
类似代替 |
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V | |
CSD17382F4 | TI |
类似代替 |
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V | |
CSD13381F4 | TI |
类似代替 |
CSD13381F4, 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD17484F4T | TI |
获取价格 |
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30 | |
CSD17501Q5A | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD17505Q5A | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs | |
CSD17506Q5A | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs | |
CSD17507Q5A | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD17507Q5A_10 | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD17507Q5A_11 | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD17507Q5AT | TI |
获取价格 |
CSD17507Q5A 30-V N-Channel NexFET⢠Power MO | |
CSD17510Q5A | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD17510Q5A_10 | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs |