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CSD17484F4

更新时间： 2024-11-14 11:14:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1917K
描述
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17484F4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LGA
包装说明：	GRID ARRAY, R-XBGA-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.65
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	2.9 pF
JESD-30 代码：	R-XBGA-N3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD17484F4 数据手册

CSD17484F4

ZHCSDO7D –MAY 2015 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD17484F4 30V N 沟道FemtoFET^™MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

典型值

单位

V_DS

Q_g

漏源电压

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 低阈值电压

• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）

– 1.0mm × 0.6mm

• 超薄型封装

920

总栅极电荷(4.5V)

Q_gd

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

V_GS= 1.8V

170

125

107

V_GS= 2.5V

V_GS= 4.5V

V_GS= 8.0V

R_DS(on)

mΩ

– 厚度为0.2mm

V_GS(th)

0.85

阈值电压

• 集成型ESD 保护二极管

– 额定值> 4kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 无铅且无卤素

器件信息⁽¹⁾

介质

器件

数量

封装

配送

CSD17484F4

3000

Femto (0402)

卷带

包装

1.00mm × 0.60mm

7 英寸卷带

• 符合RoHS

CSD17484F4T

250

基板栅格阵列(LGA)

2 应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

• 针对负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

• 电池应用

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

• 手持式和移动类应用

V_DS

V_GS

I_D

漏源电压

3 说明

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流^{(1) (2)}

持续栅极钳位电流

脉冲栅极钳位电流⁽²⁾

功率耗散

3.0

350

500

该 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 经过设

计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应

用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少60%。

I_DM

I_G

P_D

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

V_(ESD)

T_J、

T_stg

工作结温，

贮存温度

–55 至

150

°C

雪崩能量，单脉冲I_D= 7.1 A，

L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

2.5

0.20 mm

(1) 典型R_θJA= 85°C/W（在0.06 英寸(1.52mm) 厚的FR4 PCB

上安装1 平方英寸(6.45cm²)、2oz、

0.071mm 厚的铜焊盘时）。

(2) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

0.60 mm

1.00 mm

图3-1. 典型器件尺寸

图3-2. 顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS550

12 3 4 5 6 7...14

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CSD17484F4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD13383F4	TI	类似代替	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V
CSD17382F4	TI	类似代替	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V
CSD13381F4	TI	类似代替	CSD13381F4, 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET

与CSD17484F4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD17484F4T	TI	获取价格	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30
CSD17501Q5A	TI	获取价格	30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD17505Q5A	TI	获取价格	30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs
CSD17506Q5A	TI	获取价格	30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs
CSD17507Q5A	TI	获取价格	30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17507Q5A_10	TI	获取价格	30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17507Q5A_11	TI	获取价格	30V, N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs
CSD17507Q5AT	TI	获取价格	CSD17507Q5A 30-V N-Channel NexFETâ¢ Power MO
CSD17510Q5A	TI	获取价格	30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD17510Q5A_10	TI	获取价格	30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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