5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CSD17382F4
CSD17382F4 PDF预览

CSD17382F4

更新时间： 2024-11-14 11:13:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅开关脉冲晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
13页 1172K
描述
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSD17382F4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.69
雪崩能效等级（Eas）：2.1 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.18 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：19.5 pF
JESD-30 代码：R-XBCC-N3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.8 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD17382F4 数据手册

 浏览型号CSD17382F4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD17382F4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD17382F4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD17382F4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD17382F4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD17382F4的Datasheet PDF文件第7页 
CSD17382F4  
SLPS562C – APRIL 2016 – REVISED FEBRUARY 2022  
CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET  
Product Summary  
1 Features  
TA = 25°C  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
•
•
•
•
Low on-resistance  
Low Qg and Qgd  
Low threshold voltage  
Ultra-small footprint (0402 case size)  
– 1.0 mm × 0.6 mm  
Ultra-low profile  
VDS  
Qg  
Drain-to-Source Voltage  
30  
2.1  
Gate Charge Total (4.5 V)  
Gate Charge Gate-to-Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
0.63  
VGS = 1.8 V  
110  
67  
VGS = 2.5 V  
VGS = 4.5 V  
VGS = 8.0 V  
RDS(on) Drain-to-Source On-Resistance  
•
•
56  
– 0.36-mm height  
54  
Integrated ESD protection diode  
– Rated > 3-kV HBM  
– Rated > 2-kV CDM  
Lead and halogen free  
RoHS compliant  
VGS(th) Threshold Voltage  
0.9  
.
Device Information  
•
•
DEVICE(1)  
CSD17382F4  
CSD17382F4T  
QTY  
3000  
250  
MEDIA  
PACKAGE  
SHIP  
7-Inch  
Reel  
Femto (0402) 1.0-mm ×  
0.6-mm SMD Lead Less  
Tape and  
Reel  
2 Applications  
•
•
Optimized for load switch applications  
Optimized for general purpose switching  
applications  
Single-cell battery applications  
Handheld and mobile applications  
(1) For all available packages, see the orderable addendum at  
the end of the data sheet.  
Absolute Maximum Ratings  
•
•
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
ID  
Drain-to-Source Voltage  
30  
3 Description  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current(2)  
Power Dissipation(1)  
10  
V
This 30-V, 54-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET  
technology is designed and optimized to minimize the  
footprint in many handheld and mobile applications.  
This technology is capable of replacing standard  
small signal MOSFETs while providing at least a 60%  
reduction in footprint size.  
2.3  
A
IDM  
PD  
14.8  
500  
A
mW  
V
Human Body Model (HBM)  
Charged Device Model (CDM)  
3000  
2000  
ESD  
Rating  
V
TJ,  
Tstg  
Operating Junction,  
Storage Temperature  
–55 to 150  
2.1  
°C  
.
Avalanche Energy, Single Pulse ID = 6.5 A,  
L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RθJA = 245°C/W on 1-in2 (6.45-cm2), 2-oz.  
0.36 mm  
(0.071-mm) thick Cu pad on a 0.06-in (1.52-mm) thick FR4  
PCB.  
(2) Pulse duration ≤100 μs, duty cycle ≤1%.  
1.00 mm  
0.60 mm  
D
Typical Part Dimensions  
.
.
.
.
G
S
Top View  
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
 
 
 
 
 
 
 
 
1234567...13

中文翻译

下载PDF

CSD17382F4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17484F4 TI

类似代替

 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30
CSD13383F4 TI

类似代替

 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V
CSD13381F4 TI

类似代替

 CSD13381F4, 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET

与CSD17382F4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD17382F4T TI

获取价格

 		采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V
CSD17483F4 TI

获取价格

 		CSD17483F4, 30 V N-Channel FemtoFET MOSFET
CSD17483F4_13 TI

获取价格

 		30 V, N-Channel FemtoFET MOSFET
CSD17483F4R TI

获取价格

 		30-V, N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD17483F4T TI

获取价格

 		30 V, N-Channel FemtoFET MOSFET
CSD17484F4 TI

获取价格

 		采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30
CSD17484F4T TI

获取价格

 		采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30
CSD17501Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD17505Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs
CSD17506Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs

与CSD17382F4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证