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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CSD17483F4T
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CSD17483F4T

更新时间： 2024-09-25 12:54:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
12页 583K
描述
30 V, N-Channel FemtoFET MOSFET

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CSD17483F4T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.66
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：0.55 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：3 pFJESD-30 代码：R-XBGA-N3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD17483F4T 数据手册

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CSD17483F4  
www.ti.com  
SLPS447A –JULY 2013–REVISED NOVEMBER 2013  
30 V, N-Channel FemtoFET™ MOSFET  
Check for Samples: CSD17483F4  
PRODUCT SUMMARY  
1
FEATURES  
VDS  
Qg  
Drain-to-Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
30  
V
2
•
•
•
•
Low On Resistance  
1010  
130  
pC  
pC  
Low Qg and Qgd  
Qgd  
Low Threshold Voltage  
Ultra-Small Footprint (0402 Case Size)  
VGS = 1.8 V  
370  
240  
200  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
VGS = 2.5 V  
VGS = 4.5 V  
mΩ  
–
1.0 mm x 0.6 mm  
Ultra-Low Profile  
0.35 mm Height  
Integrated ESD Protection Diode  
VGS(th)  
Threshold Voltage  
0.85  
V
•
•
–
Text Added For Spacing  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Qty  
Media  
Package  
Ship  
–
–
Rated > 4 kV HBM  
Rated > 2 kV CDM  
7-Inch  
Reel  
CSD17483F4  
3000  
Femto(0402) 1.0 mm x Tape and  
•
•
Pb and Halogen Free  
RoHS Compliant  
0.6 mm SMD Lead Less  
Reel  
7-Inch  
Reel  
CSD17483F4T  
250  
Text Added For Spacing  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
APPLICATIONS  
•
•
Optimized for Load Switch Applications  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
Optimized for General Purpose Switching  
Applications  
VDS  
VGS  
ID  
Drain-to-Source Voltage  
30  
12  
1.5  
5
Gate-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
A
•
•
Single-Cell Battery Applications  
Handheld and Mobile Applications  
IDM  
PD  
A
500  
4
mW  
kV  
kV  
Human Body Model (HBM)  
Charged Device Model (CDM)  
DESCRIPTION  
ESD  
Rating  
2
The FemtoFET™ MOSFET technology has been  
designed and optimized to minimize the footprint in  
many handheld and mobile applications. This  
technology is capable of replacing standard small  
signal MOSFETs while providing at least a 60%  
reduction in footprint size.  
TJ,  
TSTG  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
–55 to 150  
2.7  
°C  
Avalanche Energy, single pulse ID = 7.4 A,  
L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RθJA = 90°C/W on 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-  
mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
.
(2) Pulse duration ≤300 μs, duty cycle ≤2%  
Typical Part Dimensions  
Top View  
0.35 mm  
D
0.60 mm  
1.00 mm  
G
S
.
.
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
FemtoFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
 
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CSD17483F4T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17483F4 TI

完全替代

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