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CSD17318Q2

更新时间： 2024-09-26 11:13:27
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
15页 836K
描述
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17318Q2 数据手册

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CSD17318Q2  
ZHCSGE6A –FEBRUARY 2017–REVISED JULY 2017  
CSD17318Q2 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
针对 5V 栅极驱动器进行优化  
TA = 25°C  
典型值  
30  
单位  
V
低电容和电荷  
VDS  
Qg  
漏源电压  
低 RDS(ON)  
栅极电荷总量 (4.5V)  
栅极电荷（栅极到漏极）  
6.0  
nC  
nC  
低热阻  
Qgd  
1.3  
VGS = 2.5V  
20  
无铅  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
VGS = 4.5V  
VGS = 8V  
13.9  
12.6  
mΩ  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
0.9  
V
小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装  
器件信息(1)  
2 应用  
器件型号  
数量  
包装介质  
封装  
运输  
•
•
•
•
存储、平板电脑和手持设备  
CSD17318Q2  
3000  
250  
SON  
2.00mm × 2.00mm  
塑料封装  
卷带封  
装
7 英寸卷带  
优化负载开关 应用  
直流/直流转换器  
CSD17318Q2T  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
电池和负载管理 应用  
绝对最大额定值  
3 说明  
TA = 25°C  
值
30  
单位  
V
这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ  
NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换  
中的损耗， 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm  
SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。  
VDS  
VGS  
漏源电压  
栅源电压  
±10  
21.5  
V
持续漏极电流（受封装限制）  
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时  
测得  
ID  
25  
A
持续漏极电流(1)  
10  
68  
2.5  
16  
顶视图  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2)  
功率耗散(1)  
A
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
W
D
功率耗散，TC = 25°C  
TJ， 工作结温，  
TSTG 储存温度  
-55 至 150  
°C  
雪崩能量，单脉冲，  
ID = 12.4A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
7.7  
mJ  
S
(1) RθJA = 55°C/W，这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英  
寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。  
P0108-01  
(2) 最大 RθJC = 7°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。  
导通电阻与栅极至源极电压  
栅极电荷  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
8
TC = 25°C, I D = 8 A  
TC = 125°C, I D = 8 A  
ID = 8 A  
VDS = 15 V  
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
2
4
6
8
10  
12  
VGS - Gate-To-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS667  
 
 
 
 
 
 
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD17318Q2T TI

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