5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CSD17381F4T
CSD17381F4T PDF预览

CSD17381F4T

更新时间： 2024-11-13 13:07:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 1100K
描述
30V, N ch NexFET MOSFET™, single LGA 1.0 x 0.6mm, 117mOhm 3-PICOSTAR -55 to 150

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSD17381F4T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GRID ARRAY, R-XBGA-N3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.66
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：3.1 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：2.9 pF
JESD-30 代码：R-XBGA-N3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD17381F4T 数据手册

 浏览型号CSD17381F4T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD17381F4T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD17381F4T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD17381F4T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD17381F4T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD17381F4T的Datasheet PDF文件第7页 
CSD17381F4  
www.ti.com  
SLPS411A –APRIL 2013–REVISED JULY 2013  
30-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD17381F4  
PRODUCT SUMMARY  
1
FEATURES  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
30  
V
2
•
•
•
•
Ultra Low On Resistance  
Ultra Low Qg and Qgd  
1040  
133  
pC  
pC  
Qgd  
Low Threshold Voltage  
VGS = 1.8V  
160  
110  
90  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS = 2.5V  
VGS = 4.5V  
mΩ  
Ultra Small Footprint (0402 Case Size)  
–
1.0 mm x 0.6 mm  
Ultra Low Profile  
0.35 mm Height  
Integrated ESD Protection Diode  
VGS(th)  
Threshold Voltage  
0.85  
V
•
•
–
Text Added For Spacing  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD17381F4  
Qty  
Media  
Package  
Ship  
–
–
Rated > 4kV HBM  
Rated > 2kV CDM  
7-Inch  
Reel  
3,000  
Femto(0402) 1.0mm x  
0.6mm SMD Lead Less  
Tape and  
Reel  
•
•
Pb and Halogen Free  
RoHS Compliant  
13-Inch  
Reel  
CSD17381F4R 18,000  
Text Added For Spacing  
APPLICATIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
•
•
Optimized for Load Switch Applications  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
Optimized for General Purpose Switching  
Applications  
VDS  
VGS  
ID  
Drain to Source Voltage  
30  
Gate to Source Voltage  
12  
V
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
3.1  
10  
A
•
•
Single Cell Battery Applications  
Handheld and Mobile Applications  
IDM  
PD  
A
500  
4
mW  
kV  
kV  
Human Body Model (HBM)  
Charged Device Model (CDM)  
DESCRIPTION  
ESD  
Rating  
2
The FemtoFET™ MOSFET technology has been  
designed and optimized to minimize the footprint in  
many handheld and mobile applications. This  
technology is capable of replacing standard small  
signal MOSFETs while providing at least a 60%  
reduction in footprint size.  
TJ,  
TSTG  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
–55 to 150  
2.7  
°C  
Avalanche Energy, single pulse ID = 7.4A,  
L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RθJA = 90°C/W on 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-  
mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
On Resistance vs. Gate Voltage  
160  
Top View  
TC = 25°C Id = 0.5A  
TC = 125ºC Id = 0.5A  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
D
80  
70  
G
S
60  
0
2
4
6
8
10  
12  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
FemtoFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
 
 
 
1234567...11

中文翻译

下载PDF

CSD17381F4T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17381F4 TI

类似代替

 30-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

与CSD17381F4T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD17382F4 TI

获取价格

 		采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V
CSD17382F4T TI

获取价格

 		采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V
CSD17483F4 TI

获取价格

 		CSD17483F4, 30 V N-Channel FemtoFET MOSFET
CSD17483F4_13 TI

获取价格

 		30 V, N-Channel FemtoFET MOSFET
CSD17483F4R TI

获取价格

 		30-V, N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD17483F4T TI

获取价格

 		30 V, N-Channel FemtoFET MOSFET
CSD17484F4 TI

获取价格

 		采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30
CSD17484F4T TI

获取价格

 		采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30
CSD17501Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD17505Q5A TI

获取价格

 		30V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs

与CSD17381F4T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证